【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.11】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0086
利用課題名 / Title
i線ステッパー露光による500 nmレジストパターンの作成
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
センサ/ Sensor,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,リソグラフィ/ Lithography,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
山本 隆一郎
所属名 / Affiliation
日本MEMS株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
鶴谷敏則,吉田孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
センサーデバイス等に使われる櫛歯型パターンで、ミクロンからサブミクロン単位での微細加工が要求されている。また基板材料のSiや光学分野への応用には石英なども検討されている。
ハーフミクロン以下のパターンをi線ステッパー露光にて形成する場合、基板の表面粗さやパーティクルがレジストでのパターン形成にどの程度影響を及ぼすかの検討を行った。
実験 / Experimental
走査プローブ顕微鏡により、ウェハ表面の粗さを測定した（図1）。但し走査領域の広さと粗さの測定精度は両立はせずウェハ全領域の測定には限界があることから、サンプリングにより広範囲に観測を行った（図2）。その後にi線ステッパー露光によりパターン形成を行い、SEMにて観測を行った（図3）。
結果と考察 / Results and Discussion
今回の実験では、ウェハ表面の粗さとステッパー露光によるパターンの切れに関しての明確な相関関係は得られてはいない。例えばウェハの表面のうねり等の他の要因も考慮する必要があると思われ、今後実験の継続を検討するにあたりウェハ評価の方針策定が必要であると思われる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Scanning Probeによるウェハ表面粗さの画像
Fig.2 ウェハの平均的な表面粗さ
Fig.3 SEM観測による0.5um以下のレジストパターン
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
他機関の利用：産業技術総合研究所「JPMXP1223AT0152」
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件