【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0038
利用課題名 / Title
3D-IC
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
スパッタリング/ Sputtering,リソグラフィ/ Lithography,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration),チップレット/ Chiplet
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
福島 誉史
所属名 / Affiliation
東北大学大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
マリアッパン ムルゲサン,福島 誉史
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-161：自動搬送 芝浦スパッタ装置（冷却型）
TU-063：i線ステッパ
TU-211：プラズマクリーナー
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
チップレット集積に必要な接合技術の開発を行う。
実験 / Experimental
i線ステッパによるフォトリソグラフィ、自動搬送芝浦スパッタ装置（冷却型）によるCu成膜を行い、Cu-Cu接合に必要なダマシン電極を形成した。
結果と考察 / Results and Discussion
5µm以下で、浅いビアをステッパでリソし、スパッタで埋め込みダマシン加工することにより、400℃で接合界面が消失するぐらい均質な単一結晶粒の接合界面を得られた。Fig. 1は接合後の断面のSEM像である。topとbottomのCu電極のアライメント精度は100nm以下であった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Cross-sectional SEM image of Cu-Cu hybrid bonding
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件