【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.21】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23IT0054

利用課題名 / Title

EBリソグラフィーを利用したグラフェン上への電極パターン作成

利用した実施機関 / Support Institute

東京工業大学 / Tokyo Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

電子線リソグラフィ/ EB lithography,フォトニクス/ Photonics

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

片岡 誠

所属名 / Affiliation

旭化成エレクトロニクス㈱

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

梅本高明

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-038：電子ビーム露光装置
IT-002：電子ビーム露光データ加工ソフトウェア
IT-007：走査型電子顕微鏡
IT-024：触針式段差計

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

グラフェン上へのナノ電極の形成をEBリソグラフィーの装置(IT-038)を使用して行う。

実験 / Experimental

HSQレジストをスピンコートにより基板に塗布、電子ビーム露光装置によるパターン描画、現像を実施。パターン幅、dose量を振った実験を行い、現像までのEBリソグラフィーの条件出しを実施した。

結果と考察 / Results and Discussion

120nm厚みのHSQレジストに対し、2000～4000μC/cm2のドーズ量にて露光した際、現像後に図１のレジスト構造が得られた。露光量が少ない場合はレジストの倒れ、多い場合は順テーパーのパターンが確認された。今後は電極形成（蒸着、リフトオフ）までの実験を行う。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１_現像後のSEM画像

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件