【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.26】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23NM5384

利用課題名 / Title

二次元ヘテロ構造のデバイス作製と評価

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials

キーワード / Keywords

蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,電子線リソグラフィ/ EB lithography,原子薄膜/ Atomic thin film,原子層薄膜/ Atomic layer thin film

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

北浦 良

所属名 / Affiliation

物質・材料研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

Xue Mengsong,Zhang Shaochun

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

澤部 由美子

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-601：電子ビーム描画装置 [ELS-F125]
NM-609：電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]
NM-610：電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

2次元結晶の量子物性を探索し、将来の量子技術応用へ展開するため、種々の2次元結晶およびそのヘテロ構造をチャンネルとする電界効果型トランジスタデバイスを作製し、光・電子物性計測を系統的に行う。

実験 / Experimental

機械的剥離法および化学気相成長法を用いて作製した試料を対象に、電子線リソグラフィーおよび電子ビーム蒸着を用いて種々のデバイスを作製した。作製したでデバイスは、室温での輸送特性を評価した後、極低温かつ電場印加下における分光分析を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

作製したデバイスを室温で評価したところ、ほぼすべてのデバイスにおいてコンタクト抵抗の低い良質な電気的接触が取れていることが確認できた。それらデバイスを用いて分光実験を行ったところ、印加電圧に応じて分光スペクトルに変化が見られた。これは、電圧印加によって2次元結晶内のキャリア密度が変化したことに起因すると考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件