【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23HK0032
利用課題名 / Title
溝付き基板に対するSiO2の埋め込み成膜
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学 / Hokkaido Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,ALD,PVD,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
佐野 耕平
所属名 / Affiliation
AGC株式会社先端基盤研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
峰雪序也,安田興平,小野良貴,磯邉和男,赤木優英
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
松尾保孝,遠堂敬史,石旭,佐々木仁,細井浩貴,中村圭佑,浮田桂子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
HK-619：ICP高密度プラズマエッチング装置（塩素）
HK-620：ICP高密度プラズマエッチング装置（フッ素）
HK-617：原子層堆積装置（粉末対応型）
HK-615：パルスレーザー堆積装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
複雑な微細構造を有する基板に対してボイドの生成を抑制できる成膜方法を検討した。本研究では、無機材料の表面に微細構造を形成する方法および成膜方法ごとの微細構造部への成膜付き回り性能の評価を行う。
実験 / Experimental
無機材料の表面への微細構造の形成はICP-RIEを用いて行った。成膜方法には物理的作用が支配的なPLDと化学的作用のALDの2通りを試した。
結果と考察 / Results and Discussion
Cr膜をハードマスクとしたICP-RIEによって無機材料の表面に深さ1umの溝を作製した。溝への付き回り性能では、PLDではボイドの生成を確認。これは、成膜粒子の直進性が高いことに起因していると考えられる。また、ミクロンオーダの球状の異常成長された成膜物質が確認された。これにより、PLDでは溝部への均一な成膜が困難だと考えられる。一方で、化学的作用のALDでは微細構造への付き回りが良好であった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件