【公開日：2023.08.02】【最終更新日：2023.08.02】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22RO0036
利用課題名 / Title
GaN高電子移動度トランジスタに関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ,成膜,膜加工・エッチング,熱処理,ドーピング,蒸着・成膜/Evaporation and Deposition,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
新家 伊織
所属名 / Affiliation
広島大学 工学部
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
渡口雄大,小坂駿斗
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
RO-113： マスクレス露光装置
RO-211：イオン注入装置
RO-311：LPCVD装置（poly-Si用）
RO-313：LPCVD装置（SiO2用）
RO-321：スパッタ装置（Al用）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
フローティングゲートを有したGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の作製や，低コンタクト抵抗実現のためのデバイス試作を行った．図１に試作するフローティングゲート型GaN HEMTのイメージ図を示す。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】
RO-112（ﾏｽｸﾚｽ露光装置）、RO-113（ﾏｽｸﾚｽ露光装置）、RO-121（スピンコータ）、RO-131（レイアウト設計ツール）、 RO-211（イオン注入装置）、RO-222（Rapid
Thermal Anneal装置（RTA））、RO-226（燐拡散炉）、RO-227（汎用熱処理装置）、RO-311（LPCVD装置（poly-Si））、RO-312（LPCVD装置（SiN））、RO-313（LPCVD装置（SiO2））、RO-321（スパッタ装置(Al用)）、RO-416（エッチング装置(レジスト Ashing用)）、RO-417（エッチング装置（ICP
Poly-Siゲート用））、RO-532（干渉式膜厚計）
【実験】
GaN高電子移動度トランジスタの作製を行った．SiO2，Poly-Siを，LPCVD装置（RO-313，RO-311）を用いて成膜した．リソグラフィはマスクレス露光装置(MLA-150)（RO-113）を用いて行った．イオン注入装置(IM-200M)（RO-211）を用いてイオン注入を行った．スパッタ装置(Al用)（RO-321）を用いてAl,Ti,TiNのパッド及び配線を形成した．上記作業はすべて利用者自らが行った.
結果と考察 / Results and Discussion
図２に，試作したフローティングゲート型GaN HEMTの上面顕微鏡写真を示す。 フローティングゲートへの電荷注入をするための専用のゲートであるインジェクションゲートを導入しているためパッドが４枚存在しているデバイスが試作できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図 1 フローティングゲート型GaN HEMTのイメージ図
図 2 フローティングゲート型GaN HEMT上面図
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件