【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.04.24】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22RO0025
利用課題名 / Title
シリコンナノ電子デバイスの作製
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
リソグラフィ/Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
三島 理史
所属名 / Affiliation
広島大学ナノデバイス研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
中島安理 田部井哲夫
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
RO-111： 超高精度電子ビーム描画装置
RO-113： マスクレス露光装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
単一電子トランジスタ(SET:single electron transister)はクーロン島とトンネル接合を用いた構造をしており、クーロン振動やクーロンステアケース等の現象を示す。SETが動作するためにはクーロン島のチャージングエネルギーが背景熱雑音に隠れないほど大きい必要がある。本研究では高い温度での単一電子動作を目指して、SETの作製を行う。
実験 / Experimental
超高精度電子ビーム描画装置(エリオニクスELS-G100)を用いて電子線リソグラフィーを行った。
結果と考察 / Results and Discussion
SOIウエハにマークを形成した。その後、アクティブ領域の電子線リソグラフィーを行い、ICPでエッチングを行った。その後、ゲート酸化を行った。次の層間絶縁膜の堆積の際に、冷却水低下のためにAPCVD装置が使用不可となり、今年度は試作が中断した。図１にアクティブ領域の電子線露光後のナノワイヤ構造の露光パターンのSEM像を示した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ナノワイヤ構造の電子線露光パターンのSEM写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件