【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.04.24】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22RO0025

利用課題名 / Title

シリコンナノ電子デバイスの作製

利用した実施機関 / Support Institute

広島大学 / Hiroshima Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials

キーワード / Keywords

リソグラフィ/Lithography

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

三島 理史

所属名 / Affiliation

広島大学ナノデバイス研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

中島安理　田部井哲夫

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

RO-111： 超高精度電子ビーム描画装置
RO-113： マスクレス露光装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

単一電子トランジスタ(SET:single electron transister)はクーロン島とトンネル接合を用いた構造をしており、クーロン振動やクーロンステアケース等の現象を示す。SETが動作するためにはクーロン島のチャージングエネルギーが背景熱雑音に隠れないほど大きい必要がある。本研究では高い温度での単一電子動作を目指して、SETの作製を行う。

実験 / Experimental

超高精度電子ビーム描画装置(エリオニクスELS-G100)を用いて電子線リソグラフィーを行った。

結果と考察 / Results and Discussion

SOIウエハにマークを形成した。その後、アクティブ領域の電子線リソグラフィーを行い、ICPでエッチングを行った。その後、ゲート酸化を行った。次の層間絶縁膜の堆積の際に、冷却水低下のためにAPCVD装置が使用不可となり、今年度は試作が中断した。図１にアクティブ領域の電子線露光後のナノワイヤ構造の露光パターンのSEM像を示した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１ナノワイヤ構造の電子線露光パターンのSEM写真

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件