【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0241
利用課題名 / Title
フォトニックデバイスに関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ドーピング,フォトニクス/ Photonics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
副島 成雅
所属名 / Affiliation
株式会社豊田中央研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
石井栄子
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
坂下満男
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NU-201：イオン注入装置
NU-202：急速加熱処理装置
NU-221：プラズマCVD装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
赤外線受光素子の作製のため、n型シリコン基板に高濃度p型領域を形成する必要がある。名古屋大学の設備を用いて高濃度p型領域を形成し、形成した高濃度p型領域のボロン濃度と分布とを検証した。
実験 / Experimental
実験条件をTable.1に示す。シリコン中のボロンの目標濃度を1×1020 cm-3以上とした。また、目標濃度以上となるシリコン基板深さを0 nmから100 nmまでの範囲とした。検証用の試料を次の手順で作製した。基板にイオン注入スルー膜のシリコン酸化膜を成膜した。成膜に名古屋大学設備(NU-221サムコ社製PD-240)を用いた。イオン注入法でボロンをシリコン基板に注入した。イオン注入に名古屋大学設備(NU-201日新電機社製NH-20SR-WMH)を用いた。ランプアニール法でシリコン結晶の回復とボロンの活性化を行った。アニールに名古屋大学設備(NU-202 AGAssociates社製Heatpulse610)を用いた。シリコン基板中のボロン分布を二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)で測定した。SIMS分析は外部分析機関に依頼して実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
SIMS分析法で測定したボロン分布をFig.1に示す。シリコン基板最表面のボロン濃度は3.92×1020 cm-3であった。また、ボロン濃度1×1020 cm-3以上の範囲はシリコン基板深さ0 nm から116 nm であった。この結果から目標濃度を達成する実験条件を見出すことができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Table.1 高濃度p型領域形成条件
Fig. 1 SIMS分析法で測定したシリコン基板中のボロン分布
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
装置の取り扱いをご指導くださいました坂下満男先生（名古屋大学）に感謝いたします。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件