【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0234
利用課題名 / Title
半導体電極開発
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
形状・形態観察,分析,化学結合状態評価
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
竹内 和歌奈
所属名 / Affiliation
愛知工業大学電気学科電子情報工学専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター 近藤 博基 准教授
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
新規半導体電極開発に向けて、膜の結晶性、結合状態、膜形状なのどの膜評価を行った。化学結合状態については名古屋大学の光電子分光測定装置を用いて評価を行った。
実験 / Experimental
プラズマ化学気相成長法でSi基板上に成長させたカーボンナノウォール(CNW)に横型のホットウォールの熱化学気相成長法でビニルシラン原料を用いて炭化ケイ素（SiC）薄膜を様々な厚みで形成させた。SiCの膜厚を変えた試料の化学結合状態を調べるために、光電子分光測定装置を用いて評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1にSi基板上に成長させたCNWおよび、そのCNW上に成長させたSiCの表面および断面の走査型電子顕微鏡像を示す。SiC堆積後、CNWの形状を維持したまま、壁の厚みが厚くなっていることが分かる。Fig.2にC1sの光電子分光測定結果を示す。CNWのみではCNW特有の化学結合状態を示す一方でSiCの厚みが増加するとともに、CNWの結合からSi-C結合が支配的になることがわかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 SEM images of the CNWs on Si substrate and the SiC coated CNWs.
Fig.2 Chemical bonding states of SiC of various thicknesses on CNWs.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
共同研究者：国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学低温プラズマ科学研究センター・近藤博基准教授
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
-
Koki Ono, Biocompatibility of conformal silicon carbide on carbon nanowall scaffolds, Japanese Journal of Applied Physics, 62, SA1017(2022).
DOI: 10.35848/1347-4065/ac9319
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- (1) Koki Ono, Takashi Koide, Yong Jin, Yuuki, Tsutiizu, Takuhiro Hasegawa, Shigeo Yasuhara and Wakana Takeuchi, ”Growth of SiC Thin Film on Various Metal Substrates by CVD Using Viniylsilane” Solid State Devices and Materials, (Makuhari, Japan), 2022.9.28, K-6-04. (Oral)
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件