【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0233
利用課題名 / Title
高密度ラジカル源の機能性・信頼性・高付加価値化に関わる技術開発及び評価
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
成膜,表面処理,形状・形態観察,化合物半導体,高密度ラジカル源
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
桑原 清
所属名 / Affiliation
株式会社片桐エンジニアリング
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター 近藤 博基 准教授
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
標準高密度ラジカル源の用途拡張を含む改造ラジカル源の基礎特性を調査し、高密度ラジカル源に対する要素技術の研究開発を介して微細加工用の化合物半導体形成の高機能化の他、当該半導体の微細加工・構造形成の派生・多様性に適した高付加価値化を図る。高密度ラジカル源基礎特性の改良に基づき、機能性・信頼性・高付加価値化に関わる高密度ラジカル源の機構・設計指針について検討した。
実験 / Experimental
高密度ラジカル源における原子状ラジカル生成効率及び安定性等の向上のためには、当該ラジカル源システムの伝送電力損失低減・冷却を含む機構設計が重要となる。そこで、静電遮蔽等を含む各種基本構造を見直・検証した。
結果と考察 / Results and Discussion
高密度ラジカル源静電遮蔽機構の改造により電源からの伝送電力損が低減し、投入電力に対するラジカル生成効率が向上した。また冷却機構強化によりラジカル源システムの動作が安定し、ラジカル種の多様性を含む、高密度ラジカル源の高機能性・高信頼性・高付加価値化に対する見通しを得た。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
・共同研究者：国立大学法人東海国立大学機構 名古屋大学低温プラズマ科学研究センター・近藤博基准教授
・謝辞:
国立大学法人東海国立大学機構名古屋大学・石川健治教授、堤隆嘉助教、上田大助特任教授、関根誠特任教授、清水尚博特任教授、児玉和樹特任助教の先生方には上記共同研究に対する貴重な技術支援を承り、深謝の意を表する。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：4件