【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0040
利用課題名 / Title
CVDにより結晶成長させたPt多結晶薄膜の微細構造解析
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,CVD,ナノエレクトロニクスデバイス/ Nanoelectronics device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
徳田 祥典
所属名 / Affiliation
キオクシア株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山本 剛久
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NU-102：高分解能電子状態計測走査透過型電子顕微鏡システム
NU-106：試料作製装置群
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
化学気相成長法(CVD)および原子層堆積法(ALD)は3次元構造内に薄膜を均一に成膜することが可能である。しかし、CVD成膜されたPt多結晶薄膜では薄膜化に伴い、結晶粒径の減少が顕著となることが課題である。そこで、本研究ではCVD成膜条件の最適化によりPt結晶成長を促すため、STEM観察によるPt結晶粒径の評価を行った。
実験 / Experimental
Siフレームを有する窒化シリコンTEMグリッド(SN100-A05Q33A, ALLIANCE Biosystems)上に5nmのAl2O3をALD成膜した後、12.5nmのPtを500℃でCVD成膜した。
結果と考察 / Results and Discussion
図1に基板表面垂直方向から観察したLAADF-STEM像を示す。Pt結晶粒界が明るいコントラストとして明瞭に観察された。切片法により平均粒径を導出したところ、平均粒径が17.7nmであることがわかった。また、結晶粒界がファセットし、エネルギー的に安定な低指数面({110}, {100}, {111})により、主に構成されることが明らかになった。今後はCVD成膜条件とPt結晶粒径の関係を系統的に解析し、大粒径化が可能なCVDプロセスを検討する。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 Pt/Al2O3表面垂直方向からのLAADF-STEM観察像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件