【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NU0028
利用課題名 / Title
光電効果用半導体の構造評価
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,イオンミリング/Ion milling,集束イオンビーム/Focused ion beam,高品質プロセス材料/ High quality process materials,ナノフォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,量子効果デバイス/ Quantum effect device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
鵜嶋 秋臣
所属名 / Affiliation
浜松ホトニクス株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
桒原真人,内田和子
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NU-102：高分解能電子状態計測走査透過型電子顕微鏡システム
NU-106：試料作製装置群
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
光電効果により電子放出を実現する材料には、金属から半導体の様々なものが候補となる。この中で、近赤外領域に感度をもつ半導体の特異な構造が重要となる。このため、ナノメートルオーダーでの構造解析が必要とされる。
実験 / Experimental
FIB加工により当該材料の断面構造の観察を可能にし、TEMやSTEMをもちいてナノメートルオーダーの分解能で解析を実施する。またEDSやEELSを用いた元素分析を併用した解析も行う。
結果と考察 / Results and Discussion
当該材料をFIB加工法を用いて薄片化し、その断面構造をTEM観察した。その結果、光電効果に寄与するナノ構造を確認することに成功した。
また、STEM-EDSをもちいて元素解析を実施し、所定の構造を満たすことを確認できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件