【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.05.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22WS0054
利用課題名 / Title
イオン液体を用いた電析Si薄膜の作製のための予備検討
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学 / Waseda Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)その他/Others(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
太陽電池,膜加工・エッチング/Film processing and Etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
吉原 昌幸
所属名 / Affiliation
早稲田大学理工学術院
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
齋藤美紀子
利用形態 / Support Type
(主 / Main)技術相談/Technical Consultation(副 / Sub)-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究ではメッキを用いてSi薄膜を形成し、太陽電池への応用を試みる。Si薄膜を形成する際に、何が重要かについて技術相談を行った。その結果、めっきを行う基板の表面状態が非常に重要であり、事前に活性化しておくことが必要であるとの指導を受けた。そこで当該処理が可能なプラズマアッシャーのオペトレを受け、今後は当該装置で基板の表面処理を行い、めっきでSi薄膜を作製していく。
実験 / Experimental
結果と考察 / Results and Discussion
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件