【公開日：2023.07.31】【最終更新日：2023.05.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22WS0042
利用課題名 / Title
熱電デバイスの開発のためのプラズマアッシャー利用の事前検討
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学 / Waseda Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
熱電デバイス,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,熱電材料/ Thermoelectric material,エネルギー貯蔵/ Energy storage
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
TAKAZA Collen
所属名 / Affiliation
早稲田大学 先進理工学研究科 応用化学専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
齋藤美紀子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術相談/Technical Consultation（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
熱電デバイス（Cu/Se）を成膜する際、製作工程上どのような点に気をつけたらよいかについて、技術相談を行った。その結果、めっき前に基板の表面処理を行い、表面状態を活性化しておくことが重要であるという指導を受け、その手段としてプラズマアッシャーで表面を活性化することが妥当であるとのアドバイスを受けたので、当該機器のオペトレを受け、表面を活性化してからめっきを行うこととした。
実験 / Experimental
結果と考察 / Results and Discussion
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件