【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.07.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AE0025
利用課題名 / Title
Snドープb型Ga2O3のドーパントサイト活性サイト・不活性サイトの原子構造・化学状態
利用した実施機関 / Support Institute
日本原子力研究開発機構 / JAEA
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
Ga2O3, XANES,Snドーパント,分析,β型Ga2O3,放射光/ Synchrotron radiation
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
山下 良之
所属名 / Affiliation
（国）物質・材料研究機構電子・光機能材料研究センター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
サイ ウカ
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
小畠雅明
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
β型Ga2O3構造のGaサイトは四面体構造及び 歪んだ八面体構造を有するGaサイトが存在する。β型 Ga2O3構造にSnをドープすることによりキャリアの制御が可能だが、Sn原子をドーパントとして導入した際の活性サイトの原子構造・化学状態は未だ不明である。そこで本研究ではBL22XU所有のXANES及びEXAFS装置を用いてSn原子をβ型Ga2O3構造にドーパントとして導入した際のSnドーパントの活性サイトの原子構造・化学状態を明らかにする事を目的として研究を行った。
実験 / Experimental
測定試料はSnドープβ型Ga2O3である。測定はBL22XUのEXAFS装置を用いた。測定はEXAFS、XANESを用い、両手法とも透過法、蛍光収量法を用いて測定を行った。測定の吸収端はSn K-edgeを用いた。参照試料としてSn、SnO、SnO2を用いた。
結果と考察 / Results and Discussion
Snドープβ型Ga2O3構造のXANESの測定結果と参照試料を比較したところ、Snドープβ型Ga2O3構造のXANES スペクトル形状はSnO2参照試料のXANESスペクトル形状とよく似ている事がわかった。SnO2構造のSnは4価であることから、Snドープ β型Ga2O3構造のSn置換サイトは4価であるオクタヘドラルサイトであることが推測された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
無し
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件