【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.05.18】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22JI0051
利用課題名 / Title
真空紫外線照射による半導体パッケージ用絶縁樹脂とダイレクトカッパースパッタ層の界面結合改善の研究と評価
利用した実施機関 / Support Institute
北陸先端科学技術大学院大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,集束イオンビーム/Focused ion beam,高品質プロセス材料,異種材料接着・接合技術
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
遠藤 真一
所属名 / Affiliation
ウシオ電機株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
東嶺 孝一,伊藤 真弓,小林 祥子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
JI-008：原子分解能走査透過型電子顕微鏡
JI-009：透過電子顕微鏡
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体パッケージ用絶縁材料にカッパーをダイレクトスパッタで堆積させてシード層を得る工程において、真空紫外線の密着力改善効果の仕組みを解明するため、ＦＩＢで薄片化した各種試料をＴＥＭ／ＳＴＥＭを用いて界面の観察を行う。事前の研究で、ＸＰＳによる酸素の存在を検出しており、ＴＥＭ観察によって界面の状態を直接観測する。
実験 / Experimental
真空紫外線照射量の異なる4種類のサンプルを準備した。紫外線照射過多（優先順位１）、紫外線照射量無し（優先順位２）、紫外線照射量中間2種（優先順位３，４）のうち、今年度は優先順位１について実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
ＳＴＥＭ観察像を、図１－３に示す。図１はサンプルの全体像である。図２はカッパー層の断面、図３は界面の拡大図である。ＥＤＳとの併用の結果、界面には酸素が多い層が数十nmの厚さで存在することが分かった。界面で樹脂と金属の中間的な密度の微粒子のようなものが生成していることが確認された。また、カッパー層も成長方向に密度差のある構造が確認できるが、原因はまだ不明である。このあと、紫外線処理の異なる材料の分析と照らし合わせることで、真空紫外線の関与の形態が判明すると見通している。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ ＶＵＶ処理したダイレクトスパッタサンプルの界面像
図２ ダイレクトスパッタ膜の断面TEM像
図３ ダイレクトスパッタ膜の界面の微粒子像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件