【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2024.06.06】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22JI0037
利用課題名 / Title
二次元物質ツイストvan der Waals積層構造の原子構造観察
利用した実施機関 / Support Institute
北陸先端科学技術大学院大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
van der Waals積層,電子顕微鏡/Electron microscopy,電子回折/Electron diffraction,原子層薄膜
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
町田 友樹
所属名 / Affiliation
国立大学法人東京大学生産技術研究所基礎系部門
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
張 奕勁,神谷 啓介,楊 瀟涵
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
大島 義文,麻生 浩平
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
二次元物質の組合せと角度を制御して人工的に積層したツイストvan der Waals積層構造は、電子相関の変化やモアレ超格子の出現により物性が大きく変化する。
今回は実際に作製したvan der Waals積層構造における原子配列の直接観測や回折像から、目的の構造がどの程度の精度で作製できているかを考察した。
実験 / Experimental
町田研究室で作製したツイストvan der Waals積層構造をSiN基板に載せ、ARIMの透過型電子顕微鏡で観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
電子線の回折像から、試料における実際のツイスト角は、作製時の目標値から最大で数度程度ズレていることがわかった。また、同一試料の中でもツイスト角が場所によって変化していた。
また、走査型透過電子顕微鏡を用いて原子配列の直接観察を試みたところ、場所によって異なる配列パターンが得られた。これは、場所ごとに層同士の相対位置が変化していることを意味していると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
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Yijin Zhang, Symmetry Engineering in Twisted Bilayer WTe2, Nano Letters, 23, 9280-9286(2023).
DOI: doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c02327
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件