【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23RO0035

利用課題名 / Title

SiO₂膜の電気特性評価のための電極作製

利用した実施機関 / Support Institute

広島大学 / Hiroshima Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

SiO₂膜, 電気特性評価,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,スパッタリング/ Sputtering,エリプソメトリ/ Ellipsometry

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

小森 常範

所属名 / Affiliation

東レエンジニアリング株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山田 真司,水野 恭司,岡田 和志

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

RO-113： マスクレス露光装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

弊社で成膜したSiO₂膜を用いMOS構造を作製するためにマスクレス露光機によるパターニングを実施した。

実験 / Experimental

マスクレス露光機によるパターニングを実施し、電極サイズが30um～2mm□のMOS構造を作製した。

結果と考察 / Results and Discussion

弊社で成膜したSiO2膜および、ARIMに成膜していただいた熱酸化膜に関して、MOS構造を作製し電気特性評価を実施した。マスクレス露光機を用いたフォトリソにより素子を作製することにより再現よく電気特性の測定が可能となった。その結果、弊社SiO2膜と熱酸化膜の比較を行いほぼ同等の電気特性が得られていることが分かった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件