【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23RO0031

利用課題名 / Title

SiCトランジスタのコンタクト特性および動作時内部温度測定の研究

利用した実施機関 / Support Institute

広島大学 / Hiroshima Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ドーピング

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

花房 宏明

所属名 / Affiliation

広島大学大学院先進理工系科学研究科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山田 真司,水野 恭司

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

RO-212：高温イオン注入装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

SiCデバイスにおけるコンタクト特性を評価するため，広島大学ナノデバイス研究所の設備を利用して４H-SiCウエハにイオン注入を行い，高不純物濃度層を作製した。

実験 / Experimental

厚み10.5μmのエピタキシャル層（N濃度1×10¹⁶/cm³）付き4H-SiCウエハ（4インチ）に対し，広島大学ナノデバイス研究所の高温イオン注入装置( アルバック，IMX-3500 )装置により300℃の基板温度にて総ドース量1×10¹⁶/cm²の条件で200 nmのボックスプロファイルを形成するように10 ~ 180 keVの加速電圧条件でPイオンの多段注入を行った。また同時にSiO₂によるマスクを形成したP型エピタキシャル層付きの30 mm角のサンプルを同時に設置し，一括で注入を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

Fig. １にイオン注入後のウエハ表面の写真を示す。ネジ固定部はイオン注入がされず，注入されている領域において，透過率が変化している様子が観察できる。また，Fig. 2にマスクをしたサンプルのSiO₂層除去後の微分干渉観察像を示す。注入領域と非注入領域が適切に形成されている。今後は不純物活性化アニールとSiCAを行い，コンタクト抵抗の評価，トランジスタの作製と動作の取得を行っていく。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig. 1. イオン注入後の4インチ写真

Fig. 2. SiO₂マスクを行ったサンプルの微分干渉観察画像

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

高温イオン注入装置の使用にあたり，広島大学ナノデバイス研究所ARIMプロジェクト山田真司様，水野恭司様，および同研究所目黒達也様には多くのご支援を頂きました。御礼申し上げます。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件