【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.07.19】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23RO0028
利用課題名 / Title
SiC基板の熱酸化
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
熱酸化,半導体,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
SAZAWA HIROYUKI
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山田 真司
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
SiCトランジスタのゲート酸化膜を熱酸化により形成することを目的とし、熱酸化によるSiO２形成の確認、および条件出し検討として成膜レート測定を行なった．
実験 / Experimental
SiC単結晶基板を1150℃にて酸素雰囲気化で10分、60分酸化処理した．This work was supported by the Innovative Science and Technology Initiative for Security, Grant Number JPJ004596, ATLA, Japan.
結果と考察 / Results and Discussion
SiC単結晶中のSiが酸素雰囲気下の高温環境で酸化されSiO2に変換したと推測する．標準的な条件である1150℃にて10分、60分酸化したサンプルの膜厚をエリプソメトリーにより測定した．厚は、ぞれぞれ20nm、82nmだった．堆積SiO２とは異なり膜厚は時間に比例しなかった．これは酸化膜厚が厚くなるにつれて、界面への酸素の供給量が減るためであると思われる．SiCの酸化レートが確認できたので、次のゲート絶縁幕形成に移る．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件