【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.10】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23RO0022
利用課題名 / Title
シリコンナノ電子デバイスの作製
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
量子効果デバイス/ Quantum effect device,リソグラフィ/ Lithography,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
中島 安理
所属名 / Affiliation
広島大学 ナノデバイス研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
澁澤 壮一
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
田部井 哲夫,水野 恭司
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
単一電子トランジスタ(SET : single electron transistor)はクーロン島とトンネル接合を用いた構造をしており、クーロン振動やクーロンステアケース等の現象を示す。SETが動作するためにはクーロン島のチャージングエネルギーが背景熱雑音に隠れないほど大きい必要がある。本研究では高い温度での単一電子動作を目指して、SETの作製を行う。
実験 / Experimental
新マスクレス装置(ハイデルベルグ，MLA1５0)を用いてフォトリソグラフィーを行った。
結果と考察 / Results and Discussion
昨年度APCVD装置が使用不可のため試作を中断していた層間絶縁膜の堆積を行い、コンタクトホールの形成、アルミ電極の形成、ポストメタライゼーションアニールを行い、試作を終了した。図１に試作終了後のSiシート抵抗測定用デバイスの光学顕微鏡写真を示した。このデバイスの電流―電圧特性を測定した所、電流が流れる事を確認した。しかし、SETについては、チャネルの導通が確認できなかった。そのためSETについてはチャネルが断線していると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ Siシート抵抗測定用デバイスの光学顕微鏡写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件