【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23RO0020
利用課題名 / Title
SiO２膜の電気特性評価
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
SiO₂膜, 電気特性評価,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,スパッタリング/ Sputtering,エリプソメトリ/ Ellipsometry
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
小森 常範
所属名 / Affiliation
東レｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山田 真司,水野 恭司,岡田 和志
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
RO-322：スパッタ装置(汎用)
RO-225：ポストメタライゼーションアニール（PMA）炉
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
弊社で成膜したSiO2膜の電気特性評価のためのMOS構造を作製しおよび、電気特性評価を実施した。 また、熱酸化膜の成膜を実施していただき、リファレンスとした。
実験 / Experimental
ALスパッタ装置を用い表面、および裏面電極を成膜し、MOS構造作製した。PMAを実施後、電気特性評価を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
弊社で成膜したSiO2膜および、ARIMに成膜していただいた熱酸化膜に関して、MOS構造を作製し電気特性評価を実施した。ゲート電極はメタルマスクを用いたスパッタを用いたが、再現性のよい電気特性が得られなかった。今後は、マスクレス露光機を用いたフォトリソによる素子作製を検討する予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件