利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.06.17】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23NU0079

利用課題名 / Title

多孔質ポリイミドフィルムの三次元構造解析②

利用した実施機関 / Support Institute

名古屋大学 / Nagoya Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials(副 / Sub)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed

キーワード / Keywords

膜加工・エッチング,形状・形態観察,電子顕微鏡/ Electronic microscope,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,集束イオンビーム/ Focused ion beam,3D積層技術/ 3D lamination technology


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

秋山 智

所属名 / Affiliation

東京応化工業株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

荒井 重勇,中尾 知代

利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術代行/Technology Substitution(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NU-104:直交型高速加工観察分析装置
NU-105:バイオ/無機材料用高速FIB-SEMシステム


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

多孔質ポリイミドフィルムの内部構造の情報取得のため、名古屋大学の設備を利用して試料へのダメージの少ない加工条件を検討した。

実験 / Experimental

薄膜資料を収束イオンビーム装置(MI4000L)にて前回よりも電流値を下げて断面加工し、FIB-SEMであるMI4000LとNX-5000を用いSEM像を撮影した。続けてイオンビームの切削加工を繰り返すことで複数の断面画像を取得した。 FIB加工条件(MI4000L)ビーム材質:SiO2ビーム電流値:49.8pA(最小出力)検出器:Lower

結果と考察 / Results and Discussion

Fig. 1-1~1-5にFIB加工後の断面SEM画像、Fig. 2に前回検討時(ビーム電流値117pA)の断面SEM画像を示す。またFig. 1とFig. 2において、加工時の樹脂溶融による空孔の開裂部分を白色点線、空孔の埋没部分を黄色点線で示している。Fig. 1とFig. 2の比較から、ビーム電流値を下げることで加工時の樹脂溶融が改善された。一方で、最小出力のビーム電流値でも若干の空孔の開裂や埋没が確認された。今後は、膜質変更の観点から断面加工時の形状変化を改善できるか検討する。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 1-1 SEM断面画像① (ビーム電流値:49.8pA)



Fig. 1-2 SEM断面画像② (ビーム電流値:49.8pA)



Fig. 1-3 SEM断面画像③ (ビーム電流値:49.8pA)



Fig. 1-4 SEM断面画像④ (ビーム電流値:49.8pA)



Fig. 1-5 SEM断面画像⑤ (ビーム電流値:49.8pA)



Fig. 2 SEM断面画像 (ビーム電流値:117pA)


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

本研究を遂行するにあたり、技術代行・技術補助をして頂きました、ARIM 名古屋大学 未来材料・システム研究所の荒井特任准教授と中尾技術支援員に深く感謝いたします。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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