【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.13】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23AT0397

利用課題名 / Title

TaN膜の密度向上

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

薄膜,エレクトロデバイス/ Electronic device,ALD,電子分光/ Electron spectroscopy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

進藤 智

所属名 / Affiliation

(株)村田製作所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山崎 将嗣,大塚 照久

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-102：原子層堆積装置_3〔FlexAL〕
AT-103：原子層堆積装置_3付帯ＸＰＳ装置（アルバック・ファイ）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

窒化物薄膜の上に成膜する層の特性向上を狙い、窒化物薄膜の密度を向上させる方策として、重アンモニアによる窒化の効果を検証した。

実験 / Experimental

原子層堆積装置_3を用い、Taのプリカーサおよび窒化剤としてアンモニアと重アンモニアの2種類を用いて窒化Taの成膜を実施した。
その際、成膜温度を180、230、280℃の3条件とした。基板にはSiウェハを用い、成膜後、装置内に入れたまま、
原子層堆積装置_3付帯XPS装置により、XPS分析を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

XPS分析結果より、窒化剤に重アンモニアを用いた場合でも、アンモニア使用と同じ窒化物膜となった。
また、重アンモニアを用いると、同じ成膜温度でアンモニアの場合よりXPSの信号強度が低くなった。
重アンモニアを用いてもTaN膜の密度向上には至らず、膜の成長速度は低下するとみられる。
今後は弊社で膜厚の確認とXPSデータの詳細な解析を行う。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件