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原子層堆積装置_3〔FlexAL〕

設備ID AT-102
分類 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置
装置名称 原子層堆積装置_3〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_3〔FlexAL〕)
設置機関 産業技術総合研究所(AIST)
設置場所 AISTつくば中央 2-12棟
メーカー名 オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
型番 FlexAL
キーワード ALD成膜
原子層堆積
表面分析機能
低温成膜
in-situ 分光エリプソ
in-situ XPS
ピュアオゾン
重水
D2
ND3
仕様・特徴 ・型式:FlexAL
・試料サイズ:4インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W(誘導結合型)
・基板バイアス:100W
・反応ガス:重水, O2, ピュアオゾン, N2, H2, D2, NH3, ND3
・材料ポート:8ポート
・キャリアガス:Ar
・表面分析用 in-situ XPS
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ
    原子層堆積装置_3〔FlexAL〕
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