原子層堆積装置_3〔FlexAL〕
設備ID | AT-102 |
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分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
装置名称 | 原子層堆積装置_3〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_3〔FlexAL〕) |
設置機関 | 産業技術総合研究所(AIST) |
設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
メーカー名 | オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma) |
型番 | FlexAL |
キーワード | ALD成膜 原子層堆積 表面分析機能 低温成膜 in-situ 分光エリプソ in-situ XPS ピュアオゾン 重水 D2 ND3 |
仕様・特徴 | ・型式:FlexAL ・試料サイズ:4インチφ ・基板温度:100-550℃ ・プラズマALD:600W(誘導結合型) ・基板バイアス:100W ・反応ガス:重水, O2, ピュアオゾン, N2, H2, D2, NH3, ND3 ・材料ポート:8ポート ・キャリアガス:Ar ・表面分析用 in-situ XPS ・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ |