【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0190
利用課題名 / Title
GaN on Sapphireウエハ上の微細加工
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
金子 修一
所属名 / Affiliation
サンケン電気株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
佐藤 憲
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
鶴谷 敏則
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
GaN onサファイア基板を用いたデバイスのプロセスの微細化基礎研究のため、i線ステッパを用いたプロセス適用の可能性を探る。
実験 / Experimental
微細化検討の実施前に、汎用のサファイア基板がi線ステッパ：キヤノン製 FPA-3030i5+で処理可能であるか確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
基板厚、反り方向、反り量、表面処理（GaNエピ膜有無）、裏面処理、および基板メーカが異なる6種のサファイア基板について搬送テストを実施した。結果一覧は投稿資料（表1）参照。裏面（吸着面）が研磨加工はステージ吸着に問題はなく、研削加工は吸着エラーとなった。吸着面の粗さ（凹凸）の影響でバキュームがリークしたものと考える。
参考（Ra値） Siウエハ=0.2～0.3um サファイア鏡面加工≒0.0003um サファイア研削加工=0.6～1.6um
なお基板厚等、その他の仕様への依存性は見られなかった。今後、裏面粗さがSiレベル以下のサファイア基板を準備し、微細加工の基礎研究を行う。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1 サファイア基板搬送テスト結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件