【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.07.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TT0029
利用課題名 / Title
立体マイクロ・ナノ加工に関する機器類開発とその動作確認
利用した実施機関 / Support Institute
豊田工業大学 / Toyota Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
立体加工, V溝,エレクトロデバイス/ Electronic device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
和島 達希
所属名 / Affiliation
株式会社ハイブリッジ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐々木 実 ,石井 清,福本 由美子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TT-006：マスクアライナ装置
TT-008：洗浄ドラフト一式
TT-015：デジタルマイクロスコープ群
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
豊田工業大学の佐々木教授が考案した立体サンプル向けフォトリソグラフィのレジストプロセスは、液体レジストをサンプルに塗るのではなく、平面のシートや基板に塗って固体膜にする。固体膜の下地には、水溶性ポリマーであるPVA膜があり、PVA膜と基板間で剥がすことで、薄膜の固体膜とし、これを目的の立体サンプルに貼る。固体膜を予め露光しておけば、微細パターン形成までが済んでいるため、立体サンプル側の影響を抑えつつ良質なパターンが得られる。
実験 / Experimental
開発したレジスト膜の貼付け器具を利用し、20mm角程度のSi小片基板にレジスト膜を貼り付けた。小片基板には結晶異方性エッチングで製作された深さ15μmのV溝アレイがある。この基板上に、20cPに調整した東京応化TMMR SA390Nレジストを1500rpmで成膜し、i線ドーズ量300mJ/cm2にて露光後、貼り付けた。マスクパターンは幅違いのライン-アンド-スペースである。
結果と考察 / Results and Discussion
図1は、ウェット処理である現像後に得たレジストパターンである。幅40や60μmのラインパターンが得られている。中心にあるV溝を越えたブリッジ状になっている。V溝の上部端で、パターン幅の変化が少ないことは、貼付け圧力が局所的に大きくならなかったことを示唆する。レジスト膜は僅かに下にたわんでいるが、ほぼ平坦であることも分かった。立体サンプルに、平面基板と同様にV溝付き基板にパターン形成ができることが確認できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1：V溝付き基板に転写したレジストパターン
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件