【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KU0019
利用課題名 / Title
Physical property evaluation of copper plating film
利用した実施機関 / Support Institute
九州大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
金属系構造材料
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
古澤 孝幸
所属名 / Affiliation
アスカコーポレーション株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
阿内 三成
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KU-002：収差補正走査/透過電子顕微鏡
KU-003：マイクロカロリーメーター高エネルギー分解能元素分析装置
KU-004：広電圧超高感度原子分解能電子顕微鏡
KU-006：直交型FIB-SEM
KU-018：イオンビーム・電子ビーム複合型精密加工分析装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
低反り且つ高い熱伝導性を有する厚銅めっきプロセスについて検討している。低反りと高反りのめっき膜について収差補正電子顕微鏡にてめっき膜微細構造の観察行った。反り抑制を目的に故意に添加する添加剤は室温セルフアニール時に結晶粒界に析出し、粒成長を抑制してしまうトレードオフの関係となることが推定された。この析出物の形成が銅めっき液メーカによりどのように変化するか継続検討進める。
実験 / Experimental
低反り、高反りめっき膜について集束イオンビーム装置で薄片化し、収差補正透過電子顕微鏡にてめっき膜の結晶粒界や粒内に存在する不純物や微細なボイドなどの直接観察及び成分分析行った。
結果と考察 / Results and Discussion
図１に透過電子顕微鏡によるめっき膜微細構造の観察結果を示す。低反りの結晶粒界には反り抑制を目的に添加する有機系の添加剤由来と推定される炭素C,酸素Oを含む数十nmオーダーの化合物の析出物が観察された。一方、高反りのめっき膜からは析出物は観察されなかった。高い熱伝導性特性のめっき膜を得るには結晶粒の粗大化を図り、結晶粒界を最小化したい。ただ、反り抑制を目的に添加する添加剤は室温でのセルフアニール時に粒界に析出し、粒成長をピニングして抑制してしまうトレードオフの関係となる。この析出物の形成が銅めっき液メーカによりどのように変化するか継続検討進める。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1.めっき膜室温経過後の断面観察結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件