利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.04.19】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22MS3001

利用課題名 / Title

フラーレン誘導体LB薄膜の表面観察と光電気化学測定

利用した実施機関 / Support Institute

自然科学研究機構 分子科学研究所

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies(副 / Sub)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed

キーワード / Keywords

硫酸化フラーレン, CNC, LB膜, 光電気化学反応, 電子受容性


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

日野 和之

所属名 / Affiliation

愛知教育大学教育学部

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

須藤優美,棚橋美里,増田春希,伊豫田和弘,柴野疾風,下里隼都,竹田海美

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

菊地拓郎

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

MS-102:3次元光学プロファイラーシステム


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

 フラーレンを基板に1層から数層堆積させた薄膜は、電子デバイスや光学材料としての利用をはじめ、潤滑性能等の力学的特徴を生かした応用等も含む、多彩な用途での利用が検討されている。しかしフラーレンは成膜の際に凝集しやすく、またその整列・配向の制御も困難であり、品質の安定性の確保や、性能発現機構の詳細な検討は不充分であった。凝集性を克服するアプローチとしては、脂肪酸などの両親媒性分子にフラーレンを混合させる手法と、疎水性のフラーレンに親水基を導入して両親媒性分子とする手法がある。いずれも、フラーレンを含む薄膜の作製によって二次元的なフラーレンの分散を試みている。今回は、アニオン性滴下分子との相互作用や高分子による薄膜への新たな特性の付与などを期待して、カチオン性高分子であるCNC-Cationic(セルロースナノクリスタル)とPDMDAAC(Poly-dimethyldiallylammonium chloride)を新たに導入した。混合系および硫酸化フラーレンの各種組み合わせにおける薄膜の特性について評価し、考察した。

実験 / Experimental

 本研究では、膜転写の最適条件が確立されているステアリン酸、フラーレン-ステアリン酸混合系、硫酸化フラーレンを滴下試料として、下層液にMilli-Q水、NaOHaq、CNCaq、PDMDAACaqをそれぞれ使用し、π‒A等温曲線の測定、LB膜のZygoによる膜厚測定および電気化学測定を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

 π‒A等温曲線の測定により、各滴下液の分子占有面積が文献値に近い値であること、およびその再現性を確認した。膜厚測定では、下層液に高分子を加えることで針状の突起が減少し、より大きなスケールの凹凸が支配的になることを確認できた。高分子の転写によって基板表面の平滑性が失われることが分かる。一方、硫酸化フラーレンを用いた場合には、数百µmスケールの集合や針状の凹みが確認でき、フラーレン骨格同士で二次元の集合が生じるとともに、硫酸基部分は均一に基板に吸着していることが予想された(図1)。電気化学測定において、ITO基板の表面反応に由来する電流密度の増加が確認できた(図2)。この光電流の増加は、未転写の場合と比較して硫酸化フラーレンでは約30倍、CNCでは約3倍であり、電子移動の促進におけるこれらの物質の優位性が示された。しかしながら、高分子の存在下では光電流の増加が、電子移動の向きが逆行することにより抑制されてしまう可能性がある。フラーレンの電子受容性を生かすためには、その分散の仕方や積層の順序が重要となることが明らかとなった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1 硫酸化フラーレンLB膜の膜厚測定



図2 70~80 sおよび110~120 sに光照射したときの クロノアンペロメトリーによる各LB膜の光電流測定


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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