【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.26】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TT0001
利用課題名 / Title
半導体型CNTを使用したデバイス作成
利用した実施機関 / Support Institute
豊田工業大学 / Toyota Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,スパッタリング/ Sputtering,光学顕微鏡/ Optical microscope,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
橋本 悟
所属名 / Affiliation
株式会社名城ナノカーボン
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
吉村雅満
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TT-006：マスクアライナ装置
TT-001：スパッタ（金属、絶縁体）蒸着装置
TT-008：洗浄ドラフト一式
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体型CNTは半導体デバイス材料として、例えば印刷方式による製造など、従来の半導体プロセスとは異なる製造方法による半導体デバイスの可能性を秘めた素材である。弊社ではバルク状態のCNTから半導体型CNTのみを抽出する技術を有しており、この技術を使用して得られた半導体型CNTを用いて半導体デバイス、具体的には電界効果型トランジスタ（FET）の製造技術の開発を行う。
実験 / Experimental
支援機関にてシリコン基板にゲート絶縁膜として酸化膜をつけた後、TT-001、TT-006、TT-008の装置を使用して電極のパターニングを行った。作成した基板を図1 に示す。その後、弊社内にて半導体型CNT分散液を基板上に塗布し、半導体型CNTで電極間を架橋することでFETを作成した。
結果と考察 / Results and Discussion
作成したFET（図２）を確認すると、ゲート電圧（Vg）によってソースドレイン間の電流（Ids）の変化を確認できること加えて、FETの挙動を示すことが確認できる。また、ON-OFF比は105であり、移動度は12.8を示すことがわかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ 電極をつけたシリコン基板
図２ FETのIV特性
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件