【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.07.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0143
利用課題名 / Title
半導体ナノ構造の作成
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
量子技術,トポロジカル量子物質/ Topological quantum matter,電子線リソグラフィ/ EB lithography,量子コンピューター/ Quantum computer
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
遊佐 剛
所属名 / Affiliation
東北大学大学院理学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
佐藤健,小栗秀之,Quentin France
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体中で極限宇宙を模したアナログ宇宙に関する実験を行うために、東北大学ナノテク融合技術支援センターにおいて、高加速電圧電子ビーム描画装置を利用して微細なゲートパターンを作成した。
実験 / Experimental
本実験では、物質・材料研究機構で分子線エピタキシー法により作成された二次元の量子井戸を持つGaAs半導体ウェハ上にレジストを塗布し、電子ビーム描画装置を利用して、微細なゲートパターンを作成する。そのために電子線のドーズ量を最適化する必要があり、50から600(uC/cm^2)を50刻みで変化させてドーズ量の異なる描画パターンを行った。この時のfield sizeは600um, Dot sizeは60000, Beam currentは100nAだった。
結果と考察 / Results and Discussion
実際には電子線描画装置を操作する技術職員および学生のトレーニング段階であり、ドーズ量の異なるパターンを作成し、光学顕微鏡で形状を評価した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Quantum point contact (QPC) by EB lithography
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件