利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.04.08】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23TU0115

利用課題名 / Title

キヤノン FPA-3030i5+デモ評価

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)その他/Others(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

光露光(ステッパ)/ Optical exposure (stepper),リソグラフィ/ Lithography


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

岩永 麗樹

所属名 / Affiliation

太陽誘電モバイルテクノロジー株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

阿佐 真一

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-063:i線ステッパ


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

 弊社で使用している露光装置をキヤノン社の露光装置(FPA)へ置き換えが可能か確認するため、露光デモを実施した。実施項目は、①露光量とレジスト線幅の依存性調査、②フォーカスオフセットとレジスト線幅の依存性調査、③電極パターン露光評価、④周波数分布確認の計4項目となる。ウェハに関しては、サイズは4インチで、材質はSi又はLiTaO3のものを使用した。

実験 / Experimental

①露光量とレジスト線幅の依存性確認
 FPAについて、露光量を変動させた際、レジスト線幅寸法がどのように変動するのか調査した。フォーカスオフセット値を+0.2 µmに設定し、Siウェハ(Al成膜)を用いて調査した。

②フォーカスオフセットとレジスト線幅の依存性調査
 FPAについて、フォーカスオフセットを変動させた際、レジスト線幅寸法がどのように変動するのか調査した。露光量を1000 J/m2に設定し、Siウェハ(Al成膜)を用いて調査した。

③電極パターン露光評価
 FPAで電極パターンの露光を実施し、ウェハ面内のレジスト線幅分布とパターン形状を確認した。露光量を1050 J/m2、フォーカスオフセット値を+0.2 µmに設定し、LiTaO3ウェハ(Al成膜)を用いて評価した。

④周波数分布確認
 項目③にて電極パターンを形成したものについて、以降弊社量産フローへ流し、デバイスの電気的特性にてウェハ面内の周波数分布を確認した。

結果と考察 / Results and Discussion

①露光量とレジスト線幅の依存性確認
 結果をFig. 1に示す。

②フォーカスオフセットとレジスト線幅の依存性調査
 結果をFig. 2に示す。

③電極パターン露光評価
 レジスト線幅を測定した箇所をFig. 3に示す。線幅を測定し面内σを比較した結果、現行装置よりFPAの方が約20%低い値となった。また、レジスト形状の外観検査結果をTable 1に示す。比較した結果、同等の形状であることを確認した。

④周波数分布確認
 弊社プローブ試験機にてウェハ面内のデバイスの電気的特性を計測し、周波数分布を確認した。計測した結果をTable 2に示す。FPAで電極パターンを露光したウェハについて、3か所で特異的に異常が発生した。発生した要因は、FPAの露光ステージ上のリフトピン箇所に穴が開いており、その部分でフォーカスずれが発生したためと考えられる。そのため、露光ステージをウェハに適したものに変更することで対策できる。また、異常発生した箇所を除き、周波数の面内σを比較した。比較した結果、現行装置と同等であることを確認した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig.1 露光量とレジスト線幅



Fig. 2 フォーカスオフセットとレジスト線幅



Fig. 3 レジスト線幅 測定箇所



Table 1 レジスト形状外観検査結果



Table 2 周波数分布計測結果


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

 本実験の遂行にあたり、東北大学マイクロシステム融合研究開発センター 森山雅昭准教授をはじめとした関係者の皆様には、FPA露光装置のオペレーションやレシピ作成等に快くご指導、ご助言頂きました。厚く御礼申し上げます。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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