【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0047
利用課題名 / Title
Radical Assisted SputteringによるSiN膜の作製
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光学材料・素子/ Optical materials,光導波路/ Optical waveguide,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
菅田 博雅
所属名 / Affiliation
株式会社シンクロン
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
田中康仁,須貝優磨,菅原涼輔,菅原卓也
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-172：シンクロン スパッタ装置
TU-158：芝浦スパッタ装置（加熱型）
TU-159：芝浦スパッタ装置（冷却型）
TU-301：ウェハゴミ検査装置
TU-303：卓上型エリプソ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
次世代光学素子用途としてSiN膜の応用研究が盛んにおこなわれている。東北大学の試作コインランドリにあるシンクロン製RAS（Radical Assisted Sputtering）装置によりSiN膜を成膜し評価した。
実験 / Experimental
実験は成膜条件を一定とし４回の成膜を行い膜厚、表面粗さ、屈折率、膜応力などの再現性を確認した。また、成膜圧力により屈折率等の変化を確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
4回の成膜を行った結果、膜厚、表面粗さ、屈折率、膜応力は極めて高い再現性を示した。また、成膜圧力により膜応力や屈折率がコントロール出来ることが分かった。実験結果はRadical Assisted Sputtering装置により再現性良くSiN膜が成膜出来ることを示した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件