利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.03.26】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23TU0045

利用課題名 / Title

フォトニックデバイスの製作

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

スパッタリング(スパッタ)/ Sputtering, 電子線描画(EB)/ Electron beam lithography,スパッタリング/ Sputtering,電子線リソグラフィ/ EB lithography,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,光デバイス/ Optical Device,メタマテリアル/ Metamaterial,フォトニクス/ Photonics


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

池田 太郎

所属名 / Affiliation

株式会社豊田中央研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

辺見政浩,松本行示

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-052:アクテス スピンコータ#1
TU-064:エリオニクス 130kV EB描画装置
TU-065:エリオニクス 50kV EB描画装置
TU-159:芝浦スパッタ装置(冷却型)
TU-161:自動搬送 芝浦スパッタ装置(冷却型)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

半導体基板上に光デバイスを製作するため、スパッタリングによる誘電体層の成膜と、電子線描画による微細構造のパターニングを行った。

実験 / Experimental

実験内容を図1に示す。市販の半導体基板上に、誘電体(SiO2)層をスパッタリング(TU-159 芝浦スパッタ(冷却型))により成膜し、電子線描画用レジスト(日本ゼオンZEP520A-7)およびチャージアップ防止剤(レゾナック エスペイサー)を塗布したのちに電子線描画(TU-064 エリオニクス130kV EB)で光デバイスの微細構造をパターニングした。加工条件を以下に示す。
・スパッタリング:ターゲット SiO2, ガス Ar+10%O2 0.5Pa, 出力 300W, 加工時間 42分
・電子線描画:加速電圧 130kV, ビーム電流 100pA, 露光量 160μC/cm2

結果と考察 / Results and Discussion

スパッタリング前後のサンプルを図2に、電子線描画後の電子顕微鏡写真を図3にそれぞれ示す。スパッタリングにより、半導体基板上にSiO2層が均一かつ剥がれなく良好に成膜できた。また、電子線描画により、光デバイスの微細構造が正確にパターニングできた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1 実施した加工プロセスの概略



図2 (a) スパッタリング前、(b) SiO2スパッタリング後のサンプル



図3 電子線描画後の電子顕微鏡写真


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

装置のオペレーショントレーニングをはじめとした技術支援をいただいた辺見政浩様、松本行示様に感謝いたします。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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