【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0037
利用課題名 / Title
MEMSデバイスの加工
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,CVD,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
千葉 賢
所属名 / Affiliation
株式会社 メムス・コア
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
佐藤 大二
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-153：住友精密PECVD
TU-302：膜厚計
TU-206：アルバックICP-RIE#2
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
MEMSデバイスの加工の為に、東北大学の設備を用いて微細加工実験を行った。ICP-RIE装置を使用して、Th-SiO2膜とPE-SiN膜の積層膜を加工する為の微細加工と、膜厚計を使用してプロセスの結果を検証した。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】
・Th-SiO2炉（自社製）
・PE-CVD装置（住友精密製／MPX-CVD）
・ICP-RIE装置（ULVAC製／CE-300I）
・膜厚計／（ナノメトリクス製／NanoSpec3000）
【実験方法】
Φ4インチシリコン基板に、Th-SiO2膜＆PE-SiN膜をそれぞれ形成。弊社のSUSS製コンタクトアライナー（MA6）を使用して、フォトレジストのパターン二ングを実施した。パターンは弊社の標準TEGマスクを使用した。(50 µm L＆S）。この基盤をICP-RIEにて微細加工を実施した。その後、膜厚計にてエッチングレートとレジストの選択比を測定した。加工条件は表1の通りで、東北大学の標準条件とした。尚、Th-SiO2については、弊社製の装置にて成膜実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
今回の加工テストにおける目標は、選択比がそれぞれ1.0以上である事。評価の結果、目標をクリアする良好な選選択比が得られる事が確認され、要求仕様が満足出来る結果が得られた（表2）。今後は、実デバイスでの加工に進み、選択比の再現性の確認と課題の抽出を行う予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Table 1: Condition of ICP-RIE
Table 2: Etching rate of PE-SiN & Th-SiO2
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件