【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0001
利用課題名 / Title
露光評価
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
デバイス・センサー関連材料,光露光（ステッパ）,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,センサ/ Sensor,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
南 征志
所属名 / Affiliation
株式会社レゾナック
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
松下 祥子
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
感光性樹脂材料の解像性評価のため、i線ステッパでLine / Space = 0.8 / 0.8 ～ 2 / 2 µmのパターンのフォトリソグラフィを行う。
実験 / Experimental
i線ステッパによる感光性樹脂の評価は、以下の条件にて行う。
■材料種
Sample A (液状レジスト、TMAH現像、ポジ型、2.5～5μmt)
Sample B (液状絶縁材、TMAH現像、ポジ型、3μmt)
Sample C (液状絶縁材、TMAH現像、ネガ型、5μmt)
■基板
Φ200mmウェハ(ガラス、Bare Si) + 樹脂膜 + スパッタ膜(Cu/Ti)
■内容
・材料3水準 × ウェハ2枚 = 計6水準（各2枚ずつ、計12枚）
・ウェハ1枚の中に、露光量および焦点距離の異なる複数のショットを露光
結果と考察 / Results and Discussion
i線ステッパによるフォトリソグラフィ後、光学顕微鏡にてレジストパターンを観察した。Line / Space = 1 / 1 µm程度の解像が可能であることが分かった。ただし高NAの露光機であるため、フォーカスマージンは狭い。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件