利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.07.04】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23UT1215

利用課題名 / Title

微細加工技術の検討

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

触針式段差計,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

梅田 賢一

所属名 / Affiliation

AGC株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

水島彩子,三田吉郎

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)共同研究/Joint Research(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-505:レーザー直接描画装置 DWL66+2018
UT-603:汎用高品位ICPエッチング装置
UT-604:高速シリコン深掘りエッチング装置
UT-850:形状・膜厚・電気特性評価装置群
UT-800:クリーンドラフト潤沢超純水付


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ドライエッチングに関する検討を実施した。Al系化合物膜のエッチングは、ガス種の影響が非常に大きく、特にCl2/BCl3が有用であることがわかった。

実験 / Experimental

OAPを3000rpm及びSIPRレジストを5000rpmでスピンコートし110℃でベーキング後、レーザー直接描画装置(DWL66)で描画、110℃のPEB、NMD-Wで2min、30secの現像を実施し、レジストパターンを形成した。その後NE-550 ICP-RIE装置を用いてドライエッチングを実施した。ドライエッチング時には冷却効率を確保するために、シリコーンオイルを用いてウェハに固定した。設定条件は、Power:400W、Bias:50W、0.5Paとし、ガス流量はトータル30sccmとし、種類は、Cl2、Cl2/BCl3の混合、CF4を用いた。エッチング性能評価には触針式段差計を用いて実施した。レジスト剥離は、酸素アッシングを用いて実施した。

結果と考察 / Results and Discussion

エッチングレートを確認するために、100sec,2 00sec, 300secエッチングを実施した後に取り出してそれぞれ段計による評価を実施した。評価結果をFig.1に示す。エッチングの進行に対してガス種の影響が非常に大きいことが確認出来た。特にCl2/BCl3では時間と共にエッチングが進行する傾向が見られ、ほぼ線形に比例することがわかった。一方で、Cl2単独ではエッチングが進まず、BCl3の寄与が大きいことも確認出来た。また、CF4でもCl2同様にエッチングがほぼ進まないことも確認出来た。これは、フッ化物の沸点が高いことによるものと推測される。以上より本検討において、Al系化合物膜のドライエッチングに対して、Cl2/BCl3混合ガスが有用であることが確認出来た。このように、加工~解析まで全て東京大学ARIM微細加工部門武田先端知CRで実施することが出来、本CRにある装置群の有用性が高いことが分かった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig.1 エッチングレートの評価結果


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

共同研究先の三田吉郎教授、水島彩子様に各種装置のご指導を頂きました。感謝いたします。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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