【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT0163
利用課題名 / Title
NanoSIMSを用いた深さ方向分析の調査
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
質量分析/ Mass spectrometry,原子層薄膜/ Atomic layer thin film
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
中田 由彦
所属名 / Affiliation
株式会社東レリサーチセンター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
竹内美由紀先生
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
NanoSIMSと従来のD-SIMSの深さ方向分析における深さ分解能の違いを調査する。
実験 / Experimental
Si基板上に薄膜が積層された試料に対してセシウムイオン（16 keV）を入射し、深さ方向分析を行った。Imageモードで酸素および、シリコンイオンをモニターし、界面における酸素ピークの傾きを調査した。また、同じ試料についてセクター型SIMSでセシウムイオン（14.5 keV）を入射し、深さ方向分析を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
上記試料について、界面の酸素ピーク強度が84%から16%に低下するときの距離を算出したところ、NanoSIMSでは約13 nm、セクター型SIMSでは約9 nmという結果が得られた。NanoSIMSでは一次イオンは垂直に入射されるが、セクター型SIMSでは垂直方向から約24°の角度で入射される点などが深さ分解能の違いに影響していると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件