【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NU0246
利用課題名 / Title
薄膜へのイオン照射による影響評価
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
膜加工・エッチング/ Film processing/etching,赤外・可視・紫外分光/ Infrared/visible/ultraviolet spectroscopy,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
西田 航
所属名 / Affiliation
AGC株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
石川 健治
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NU-237：ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置
NU-243：真空紫外吸収分光計
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
表面波プラズマ装置にエネルギーアナライザーと真空紫外吸光分光装置を付設し、反応容器内の水素イオンエネルギーとフラックス、及び水素ラジカル密度を計測した。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】表面波プラズマ装置真空紫外吸光分光計【実験方法】 Fig.1に示す表面波プラズマ装置を使用しRF出力、圧力、電極－基板間距離をパラメータに水素プラズマを生成し、エネルギーアナライザーで水素イオンエネルギーとフラックスを計測した。また水素ラジカル密度は真空紫外吸光分光装置により計測した。
結果と考察 / Results and Discussion
Table.1に示すように電極－基板間距離45mmに固定した条件で電極出力とチャンバー圧力をパラメータに水素プラズマを生成し、イオンエネルギー、イオンフラックス、及びラジカルフラックスをそれぞれ計測した。Fig.2に図示した通り、電極出力の上昇に伴いイオン及びラジカルフラックスが共に増加傾向を示す事が判った。一方で圧力との相関関係についてはイオンフラックスは圧力増加に伴い減少し、ラジカルフラックスは増加傾向を示した。水素イオンについては圧力増加に伴う衝突頻度の増加により減少したと考えられる。水素ラジカルについては圧力増加に伴うガス密度の増加により生成水素ラジカル量が増えた為と考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Schematic of surface wave plasma unit
Table.1
Fig.2 Correlation diagram of H ion and H radical flux
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
・共同研究者：石川 健治 教授（名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター）
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件