【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23WS0421
利用課題名 / Title
高性能圧電薄膜を用いたMEMS共振構造体の研究
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学 / Waseda Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,CVD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
吉田 慎哉
所属名 / Affiliation
芝浦工業大学 工学部 機械機能工学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
表面マイクロマシニングによる圧電微小超音波デバイスを作製するために、プラズマCVD装置 (TEOS-CVD)を用いてPZT薄膜上にSiO2を堆積した。
実験 / Experimental
SiO2の成膜条件は、本装置の標準条件で行った。
結果と考察 / Results and Discussion
成膜の結果、堆積されたSiO2の膜厚は、2.3µmほどとなった。しかし、成膜後、SiO2薄膜には亀裂が発生した。
原因を調査するために、走査型電子顕微鏡などを観察や分析を行った。
その結果、PZT薄膜が下地電極から剥がれていることが確認されたので、おそらくSiO2薄膜の残留応力によって、PZTが引きはがされたと推察される。
ゆえに、低応力条件での成膜条件を探索する必要があると思われる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件