プラズマCVD装置
設備ID | WS-030 |
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分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
装置名称 | プラズマCVD装置 (TEOS-CVD) |
設置機関 | 早稲田大学 |
設置場所 | 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター |
メーカー名 | サムコ株式会社 (Samco Inc.) |
型番 | PD-220 |
キーワード | SiO2成膜のみ可能 |
仕様・特徴 | プラズマCVDの原理による成膜 高いカバレッジ成形 基板サイズ6インチ以下 面内分布 5%以内(仕様) 標準条件での基板温度300℃ |