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プラズマCVD装置

設備ID WS-030
分類 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置
装置名称 プラズマCVD装置 (TEOS-CVD)
設置機関 早稲田大学
設置場所 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター
メーカー名 サムコ株式会社 (Samco Inc.)
型番 PD-220
キーワード SiO2成膜のみ可能
仕様・特徴 プラズマCVDの原理による成膜
高いカバレッジ成形
基板サイズ6インチ以下
面内分布 5%以内(仕様)
標準条件での基板温度300℃
    プラズマCVD装置
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