利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.04.22】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23BA0046

利用課題名 / Title

ビームモニター用RBSターゲットの製作

利用した実施機関 / Support Institute

筑波大学 / Tsukuba Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)その他/Others(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

冨田 成夫

所属名 / Affiliation

筑波大学数理物質系

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術補助/Technical Assistance


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

BA-004:電子線蒸着装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

高速分子イオンの生成において,ビーム電流および,ビームの組成の確認は重要である。
本実験では金薄膜による後方ラザフォード散乱粒子を測定することにより,ビーム成分の特定,およびビーム電流の計測を行った。

実験 / Experimental

高配向性熱分解グラファイト(HOPG)上に金を蒸着したターゲットを作成し,これに筑波大学タンデトロン加速器から得られた高速分子ビームを照射し,後方散乱粒子のエネルギースペクトルを測定した。分子イオンの生成にはCsスパッタイオン源を用いた。

結果と考察 / Results and Discussion

グラファイトをスパッタして得られたm/q=13 amu および17 amuのイオンについて実験を行い,m/q=13のビームの成分を
後方散乱粒子エネルギースペクトルを分析することによって解析を行った。その結果,m/q=13は12CH+13C+とで構成されており,その比率はI(12CH)/I(13C)=1.29,また,I(16OH+)/I(17O+)=12.9となっていることが確認できた。
この手法により,分子ビームの成分分析が可能であることが示された。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 矢野 祐一郎, 尾関 海太,南 健太,松田和真,石井聰,笹公和,冨田成夫,”高速異核分子イオンビームのRBSを用いた成分分析”,原子衝突学会第48回年会(東京工業大学大岡山キャンパス),令和5年11月25日(土)~26日(日)
  2. 尾関海太,矢野祐一郎, 平賀真瑠古,松田和真,石井聰,笹公和,冨田成夫,”0°電子分光用ビームカレントモニターの製作” ,原子衝突学会第48回年会(東京工業大学大岡山キャンパス),令和5年11月25日(土)~26日(日)
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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