【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NM0139
利用課題名 / Title
Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体を用いた導波路型フォトダイオードのプロセス開発
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
化合物半導体/ Compound semiconductor
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
生内 俊光
所属名 / Affiliation
デクセリアルズ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
保坂泰靖,馬場威,近藤泰二,伊東駿也
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
渡辺 英一郎,大里 啓孝,吉田 美沙,澤部 由美子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-603：レーザー描画装置 [DWL66+]
NM-610：電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]
NM-612：SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]
NM-614：CCP-RIE装置 [RIE-200NL]
NM-615：ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
化合物半導体を用いた導波路型フォトダイオードのプロセス開発を行った。NIMSの共有設備にて、直描装置、RIEによるパターニング、蒸着装置、CVDによる成膜等を検討した。
実験 / Experimental
プロセス検討として、まずInPのドライエッチの条件だしを行った。その他、導波路型フォトダイオードのプロセス開発として、以下のプロセス検討行った。・レーザー露光装置によるレジストのパターニング・RIEによるInGaAs等の化合物半導体のエッチング・蒸着金属膜のリフトオフによる電極形成・CVDによるパッシ膜の成膜・RIEによるエッチングによるVIA形成
結果と考察 / Results and Discussion
InPのドライエッチにおけるエッチレート評価結果を報告する。エッチングガスをCl2単ガス、Cl2+Ar、Cl2+N2の3種類にて評価を行った。Cl2+Arに関しては、ICPパワーを150、300、450Wと振り評価を行った。どの条件でも150nm/min程度以上のレートが得られ、エッチング可能であった。その他のプロセスに関しては、一般的な条件で試作を行った。現在、試作途中であり、完成の後フォトダイオードの特性評価を予定している。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
現在試作途中であり、プロセス検討を継続する。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件