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ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]

設備ID NM-615
分類 膜加工・エッチング > プラズマエッチング
装置名称 ICP-RIE装置 [RIE-101iPH] (ICP-RIE [RIE-101iPH])
設置機関 物質・材料研究機構 (NIMS)
設置場所 NIMS並木地区 MANA棟506号室
メーカー名 サムコ (samco)
型番 RIE-101iPH
キーワード RIE、誘導結合、ICP、塩素系ガス、プラズマエッチング/ Plasma etching
仕様・特徴 ・用途:化合物半導体のドライエッチング
・金属薄膜のドライエッチング
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大300W
・プロセスガス:Cl2,BCl3,Ar,O2,N2
・試料ステージ温度:200度以下
・最大試料サイズ:φ4inch
    ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
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