【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1197
利用課題名 / Title
パターニングされたウエハのドライエッチング挙動に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
プラズマエッチング, パターン形状、触診段差計,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
前川 亜耶子
所属名 / Affiliation
JSR株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
水島 彩子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-606：汎用平行平板RIE装置
UT-603：汎用高品位ICPエッチング装置
UT-850：形状・膜厚・電気特性評価装置群
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ドライエッチング条件による段差形状の比較を行うため、東大ARIM微細加工部門のRIE装置を用いてドライエッチングを実施。ドライエッチング後の膜厚と段差測定を行うことで、形状評価した。
実験 / Experimental
処理前と狙いのウエハ構造はFig.1 の通り。各ドライエッチング装置の標準条件をベースに各パラメーターを調整した。
結果と考察 / Results and Discussion
RIE-10NRの結果をTable 1に示す。CHF3ガス量を増やすとエッチング量が減少。圧力を上げると膜厚/段差共に増加し堆積する結果。RFパワーを上げると膜厚が大幅に減少し、凸部のエッチングが進行した。CE-300Iの結果をTable 2に示す。Biasを大きく低下させると堆積、低BiasでCHF3量を調整しても凸部のエッチングが進行した。 以上の結果から、段差エッチングには各装置の標準条件が最適の結果。今後、標準条件のエッチング時間調整にて段差形成を検討する予定。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Film stack and target topography
Table. 1 RIE-10NR Etching conditions and results
Table. 2 CE-300I Etching conditions and results
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件