【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.07.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1180
利用課題名 / Title
GaAs基板上への酸化物薄膜の形成と物性評価
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光デバイス/ Optical Device,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,光学顕微鏡/ Optical microscope,エリプソメトリ/ Ellipsometry
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
田宮 英明
所属名 / Affiliation
株式会社マグネスケール
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
丸田 秀昭,小川 巧,加藤 伸行
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
水島 彩子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-303：分光エリプソメータ
UT-712：8元電子線蒸着装置
UT-850：形状・膜厚・電気特性評価装置群
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
AlGaAs系光学素子への応用を目的とし、Al2O3薄膜を評価した。
実験 / Experimental
2種類の蒸着装置およびECRプラズマ成膜装置を使用し、GaAs基板上にAl2O3薄膜を形成した。単層膜を分光エリプソメータにより評価した。
結果と考察 / Results and Discussion
種々の方法で形成したAl2O3単層膜の屈折率を分光エリプソメータにて測定した、波長800 nmにおける屈折率をTable1に示す。エリプソメータのフィッティングにおけるMean Squared Error (MSE)は10以下であり、測定とモデルのフィッティングが良好であったことを示している。蒸着により形成したAl2O3膜の屈折率が1.625付近なのに対し、ECRプラズマ成膜で形成した膜の屈折率は1.655と0.03程度高い値が得られた。2種類の蒸着装置で形成した膜が同程度の屈折率であることから、この違いは成膜方法によるものと考えられる。屈折率が高い方がより緻密な膜であることが推察される。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Table 1
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
東大スタッフの皆様の献身的なサポートにより様々な実験をワンストップで実施できました。大変感謝しております。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件