利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.05.24】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23NM5193

利用課題名 / Title

ワイドバンドギャップ半導体中のドーパントの活性サイト、不活性サイトの原子構造・化学状態、原子構造解明

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

資源代替技術/ Resource alternative technology,資源循環技術/ Resource circulation technology


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

山下 良之

所属名 / Affiliation

物質・材料研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-202:硬X線光電子分光分析装置(HAX-PES/XPS)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ワイドギャップ半導体にドーパントをドープすることによりキャリアの制御が可能だがドーパントとして導入した際の活性サイトの原子構造・化学状態は未だ不明である。そこで本研究ではHAXPES、XPSを用いてワイドギャップ半導体にドーパントを導入した際のドーパントの活性サイトの原子構造・化学状態を明らかにする事を目的として研究を行った。

実験 / Experimental

測定試料はAl,Nドープ4H-SiC(0001)、Si、MgドープGaN, Sn、SiドープGa2O3である。HAXPES、XPS測定はNIMS所有のPHI Quantes (ULVAC-PHI)を用いて実験を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

XPS、HAXPES測定の化学情報よりAlドープ4H-SiC(0001)ではAl原子がC原子と置換したサイトがドーパントの活性サイトであることがわかった。Nドープ4H-SiC(0001)ではN原子がSi原子と置換したサイトがドーパントの活性サイトであることがわかった。SiドープGaNではSi原子がGa原子と置換したサイトがドーパントの活性サイトであることがわかった。MgドープGaNではMg原子がGa原子と置換したサイトがドーパントの活性サイトであることがわかった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
  1. Yuhua Tsai, X-ray Absorption Fine Structural Study of Atomic Structures and Chemical States of Dopants in 4H-SiC(0001), ACS Applied Electronic Materials, 5, 3843-3850(2023).
    DOI: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00546
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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