【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.20】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23NM5184

利用課題名 / Title

Thermal management of GaN devices

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion

キーワード / Keywords

蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,CVD,リソグラフィ/ Lithography,走査プローブ顕微鏡/ Scanning probe microscope,光学顕微鏡/ Optical microscope,トポロジカル量子物質/ Topological quantum matter,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,電極材料/ Electrode material,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

サン リウエン

所属名 / Affiliation

物質・材料研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

SAM Sopheap

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-601：電子ビーム描画装置 [ELS-F125]
NM-633：SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]
NM-618：原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]
NM-610：電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]
NM-614：CCP-RIE装置 [RIE-200NL]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

The purpose of this subject is to investigate the thermal property of GaN materials and devices. We use lithography and EB lithography and etching to fabricate GaN phononic crystals. The metals were deposited on the fabricated devices to measure the interface thermal properties. 

実験 / Experimental

1. The maskless lithography and EB lithography were used for the pattern of phononic crystals.2. The CCP etching and ALE etching were used to etch mask and GaN.3. EB evaporation was used to fabricate metal on the devices.

結果と考察 / Results and Discussion

We successfully obtained the phononic crystal pattern by maskless lithography and EB lithography. CVD was used to deposit SiO2 mask. The etching condition of SiO2 and GaN was optimized with better morphology. 

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

No. 

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件