【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.19】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NM5176
利用課題名 / Title
太陽電池材料に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
X線光電子分光（XPS（硬X線を含む））/ X-ray photoelectron spectroscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
新倉 ちさと
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
安福秀幸
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-202：硬X線光電子分光分析装置（HAX-PES/XPS）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
フローティングゾーン法により作製した化合物結晶を薄膜成長用基板として用いるための予備実験として、希釈HF溶液処理後の基板表面状態をX線光電子分光（XPS）法により調べた。
実験 / Experimental
希釈HF溶液処理を実施・未実施のBa-Al-Si系化合物基板表面についてXPS測定を行った。さらに、希釈HF溶液処理を実施した基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成したサンプルについて、XPS深さ方向分析を行い、基板／薄膜界面のデータを用いて、定量評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
XPS分析により、希釈HF溶液処理後の基板表面に、AlとSiの酸化物、ならびに、Alのフッ化物が確認された。希釈HF溶液処理により、表面の酸化膜が完全に除去できておらず、また、Alのフッ化物が生成されたと考えられる。基板表面処理の最適化・他の基板材料の検討等の必要性が示唆された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件