【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.21】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23IT0050

利用課題名 / Title

近赤外レーザー光を用いた金ナノ粒子の電気的検出時における電解質依存性

利用した実施機関 / Support Institute

東京工業大学 / Tokyo Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

リソグラフィ,露光,描画装置

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

野村 宙希

所属名 / Affiliation

大阪大学

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

宮本　恭幸

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-002：電子ビーム露光データ加工ソフトウェア
IT-038：電子ビーム露光装置
IT-006：走査型電子顕微鏡

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

幅0.4μm、深さ0.4μm、長さ1μmのオリフィスを電子ビーム露光によりどの程度の作製精度で作り出せるか検証した。実験はARIM学生研修プログラムによる東工大「電子ビームリソグラフィ」研修に参加し、東工大未来産業技術研究所の設備を用いて実施した。

実験 / Experimental

まず、Si基板を15mm×15mmに切断した後、ネガレジストmaN2405を500nm塗布した。そして、オリフィス部分の流路ギャップを0.36μm～0.44μmの5段階で変化させ、それぞれ配置したパターンを用意し、100kV、100pAの露光条件でDose量を350～550μC/cm2の5段階に変化させ、パターンに沿って電子ビーム露光を行った。図1に露光パターンのCAD図、図2に露光配置を示す。 また、現像条件はmaD525 90秒の後、純水 30秒であった。

結果と考察 / Results and Discussion

現像した後、Pt-PdをコートしてSEM観察を行った。露光したパターンのSEM写真を図3に示す。結果から、Dose量を変えても作製精度は変わらず、流路幅0.36μm～0.44μm程度なら高精度での作製が可能であることが分かった。Dose量 350μC/cm2条件で露光して作製したオリフィスの拡大像を図4に示す。レジスト残渣もなくきれいに流路が形成されており、作製精度も約3%と非常に高いことが読み取れる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１ 露光パターンのCAD図

図２ 露光配置図

図3 パターンSEM像

図4 流路SEM像

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

なし。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件